MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD900P06NMATMA1, VDSS 60 V, ID -16.4 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-3011
- Referência do fabricante:
- IPD900P06NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-3011
- Referência do fabricante:
- IPD900P06NMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -16.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | -27nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -16.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO252-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs -27nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal P de Infineon en encapsulado DPAK representan la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección de polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en medios
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