MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26.2 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 268-8349
- Referência do fabricante:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,17 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 6000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,234 € | 11,17 € |
| 50 - 95 | 2,016 € | 10,08 € |
| 100 - 245 | 1,622 € | 8,11 € |
| 250 - 995 | 1,588 € | 7,94 € |
| 1000 + | 1,198 € | 5,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8349
- Referência do fabricante:
- SISS5710DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0315Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54.3W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0315Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54.3W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.
Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26.2 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS66DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 178.3 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET Vishay SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33,8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS588DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 58.1 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5108DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5112DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 40.7 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36.3 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines