MOSFET, N-Canal Vishay SISS5110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 279-9994
- Referência do fabricante:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 4 unidades)*
8,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 6000 unidade(s) a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,075 € | 8,30 € |
| 60 - 96 | 1,558 € | 6,23 € |
| 100 - 236 | 1,383 € | 5,53 € |
| 240 - 996 | 1,353 € | 5,41 € |
| 1000 + | 1,323 € | 5,29 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9994
- Referência do fabricante:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SISS | |
| Encapsulado | 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0126Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SISS | ||
Encapsulado 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0126Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
RDS muy bajo x Qg cifra de mérito
Probado al 100 % Rg y UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5108DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 55.9 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS4402DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 128 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5112DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 40.7 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS5623DN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 36.3 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS4409DN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 59.2 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5808DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 66.6 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines