MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.
Cifra de mérito muy baja
Conforme a RoHS
100% probado por UIS
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