MOSFET Vishay, N-Canal SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 150 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 33.8 A | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 150 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 33.8 A | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
- COO (País de Origem):
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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