MOSFET Vishay SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33,8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,312 € | 11,56 € |
| 50 - 95 | 2,078 € | 10,39 € |
| 100 - 245 | 1,66 € | 8,30 € |
| 250 - 995 | 1,624 € | 8,12 € |
| 1000 + | 1,244 € | 6,22 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8347
- Referência do fabricante:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 33,8 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 150 V | |
| Tipo de Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Número de Elementos por Chip | 2 | |
| Material del transistor | Silicio | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 33,8 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V | ||
Tipo de Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Número de Elementos por Chip 2 | ||
Material del transistor Silicio | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.
Cifra de mérito muy baja
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
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