MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS588DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 58.1 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 239-5405
- Referência do fabricante:
- SiSS588DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
8,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 6000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 245 | 1,636 € | 8,18 € |
| 250 - 495 | 1,478 € | 7,39 € |
| 500 - 1245 | 1,392 € | 6,96 € |
| 1250 + | 1,306 € | 6,53 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-5405
- Referência do fabricante:
- SiSS588DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SIS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.008Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SIS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.008Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N de Vishay tiene una corriente de drenaje de 58,1 A. Se utiliza para la rectificación síncrona, interruptores de lado primario, convertidores dc/dc, interruptores de intercambio en caliente y OR, fuentes de alimentación, control de accionamiento de motor y gestión de baterías
Valor de mérito (FOM) muy bajo RDS x Qg
Ajustado para el mínimo RDS x Qoss FOM
Probado al 100 % Rg y UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS588DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 58.1 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET Vishay SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33,8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS66DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 178.3 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5710DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 26.2 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS5808DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 66.6 A, Mejora, 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiS128LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 33.7 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
