MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8318
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
11,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,885 € | 11,77 € |
| 10 - 18 | 5,29 € | 10,58 € |
| 20 - 98 | 5,185 € | 10,37 € |
| 100 - 498 | 4,325 € | 8,65 € |
| 500 + | 3,69 € | 7,38 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8318
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
¿Cómo influye el encapsulado en el diseño térmico?
¿Qué rango de entornos de funcionamiento tolera?
¿Cómo debo proteger el dispositivo de eventos de sobretensión?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHP110N65SF-GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHP080N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHP105N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
