MOSFET, N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8318
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8318
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 34 A admite aplicaciones de carga pesada
• El bajo RDS(on) de 0,084 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 184 W permite un funcionamiento de alta potencia
• La carga de puerta típica de 63 nC permite transiciones de conmutación controladas
• La tensión directa de 1.2 V reduce la caída en la conducción del cuerpo-diodo
Aplicaciones
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas industriales
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Se puede utilizar para topologías de conmutación dura y recuperación de energía
• Apto para laboratorio y desarrollo de prototipos con montaje en orificio pasante
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje de la placa?
¿Qué límites de tensión de accionamiento de puerta debo observar?
¿Cómo resiste temperaturas extremas durante el funcionamiento?
¿Qué polaridad y modo presenta el canal para el diseño del circuito?
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