MOSFET, N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8317
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 34 A - SIHP085N60EF-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en sistemas industriales y electrónicos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO‐220AB de orificio pasante para un montaje y una gestión térmica sencillos. El dispositivo es adecuado para aplicaciones que requieren conmutación de alta tensión controlada y manejo de corriente continua sustancial.
Características y ventajas:
• La clasificación de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 34 A admite un funcionamiento de carga pesada • La resistencia de conexión de 0,084 Ω reduce las pérdidas por conducción • La disipación de potencia de 184 W permite un manejo de potencia elevado • La carga de puerta típica de 63 nC permite requisitos de accionamiento predecibles • La temperatura de unión máxima de 150 °C mantiene el funcionamiento a alta temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de accionamiento de motor industrial • Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado interruptores de alta tensión • Se utiliza para la conversión de potencia en sistemas de control de automatización • Se puede utilizar para módulos de conmutación frontal de inversor • Apto para plataformas de prueba de laboratorio que requieren montaje en orificio pasante
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
Con una carga de puerta típica de 63 nC a Vgs, asegúrese de que el controlador de puerta pueda generar y disipar suficiente corriente para lograr la velocidad de conmutación requerida al tiempo que controla EMI.
¿Cómo influye el encapsulado en el diseño térmico?
El formato de orificio pasante TO‐220AB permite una fijación sencilla a un disipador térmico y una ruta térmica sencilla para gestionar hasta 184 W de disipación en condiciones de disipación térmica adecuadas.
¿Qué rango de entornos de funcionamiento tolera?
El dispositivo funciona desde -55 °C hasta una temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C, lo que permite su uso en instalaciones de arranque en frío y temperatura elevada.
¿Cómo debo proteger el dispositivo de eventos de sobretensión?
Puesto que el transistor tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V y un límite de puerta de 30 V, incluye amortiguadores adecuados, diodos de abrazadera o supresores de transitorios y garantiza que el accionamiento de puerta nunca exceda el límite de fuente de puerta.
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