MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8317
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
219,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,38 € | 219,00 € |
| 100 - 450 | 3,583 € | 179,15 € |
| 500 - 950 | 3,049 € | 152,45 € |
| 1000 + | 2,742 € | 137,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8317
- Referência do fabricante:
- SIHP085N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHP | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.084Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHP | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.084Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4 generaciones que reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y corrección de factor de potencia
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP054N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SUP70040E-GE3, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHP6N40D-GE3, VDSS 400 V, ID 6 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SIHP11N80AEF-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines