MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
200-6819
Referência do fabricante:
SIHP186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

EF

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

193mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.65 mm

Altura

14.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.52mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHP186N60EF-GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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