MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6819
- Referência do fabricante:
- SIHP186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
26,76 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 980 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 2,676 € | 26,76 € |
| 20 - 40 | 2,515 € | 25,15 € |
| 50 - 90 | 2,275 € | 22,75 € |
| 100 - 240 | 2,141 € | 21,41 € |
| 250 + | 2,008 € | 20,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6819
- Referência do fabricante:
- SIHP186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 193mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 14.4mm | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 193mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 14.4mm | ||
Longitud 10.52mm | ||
Anchura 4.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje de 18 A - SIHP186N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para funciones electrónicas de potencia exigentes en sistemas industriales. Funciona como un transistor de modo de mejora de canal N para el control de cargas dc de alta tensión y etapas de conmutación, diseñado para montaje en orificio pasante en equipos donde se requiere conducción robusta y manejo térmico.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje máxima de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La RDS(on) de 193 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 32 nC permite un rendimiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 156 W ayuda a elegir el diseño térmico
• La tolerancia de la puerta de 30 V permite rangos de tensión de accionamiento flexibles
• La corriente de drenaje continua de 18 A admite corrientes de carga sustanciales
• La RDS(on) de 193 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 32 nC permite un rendimiento de conmutación predecible
• La disipación de potencia máxima de 156 W ayuda a elegir el diseño térmico
• La tolerancia de la puerta de 30 V permite rangos de tensión de accionamiento flexibles
Aplicaciones
• Apto para extremos frontales de inversor de alta tensión en accionamientos industriales
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones de bus dc elevadas
• Se utiliza para etapas de potencia discretas en unidades de control de motor y automatización
• Se puede utilizar para conmutación de carga en módulos de distribución de potencia
• Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado que manejan tensiones de bus dc elevadas
• Se utiliza para etapas de potencia discretas en unidades de control de motor y automatización
• Se puede utilizar para conmutación de carga en módulos de distribución de potencia
¿Qué rango de temperaturas de funcionamiento puede soportar?
Funciona de -55 °C a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos variados y aplicaciones de temperatura elevada.
¿Cómo está previsto montar el dispositivo en el equipo?
Se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante con tres contactos adecuados para un montaje seguro en la placa y opciones de disipación térmica sencillas.
¿Cuál es la característica de accionamiento de puerta esperada para el diseño de conmutación?
Con una carga de puerta típica de 32 nC en condiciones nominales, los diseñadores pueden estimar la energía de accionamiento de puerta y elegir los controladores adecuados para las velocidades de conmutación objetivo.
¿Qué consideraciones sobre el tamaño mecánico deben tenerse en cuenta?
El encapsulado presenta dimensiones externas compactas con un perfil moderado, lo que facilita la integración donde la separación vertical y la retención de la placa son factores.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP186N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, TO-220 de 3 pines