MOSFET, N-Canal Vishay SIHP150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 268-8320
- Referência do fabricante:
- SIHP150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8320
- Referência do fabricante:
- SIHP150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | SIHP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie SIHP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHP de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 22 A - SIHP150N60E-GE3
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua de 22 A admite un flujo de carga sostenido
• La Rds(on) de 0,158 Ω reduce las pérdidas por conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 36 nC permite perfiles de conmutación predecibles
• La disipación de potencia máxima de 179 W soporta una carga térmica significativa
Aplicaciones
• Ideal para etapas de inversor de motor industrial
• Se utiliza con fuentes de alimentación en rectificación de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para frontales de inversor fotovoltaico
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño del accionamiento?
¿Cómo influye la gestión térmica en el manejo práctico de la potencia?
¿Qué rango de temperatura ambiente pueden esperar los sistemas alrededor de este dispositivo?
¿Cómo afecta el modo de canal del dispositivo al comportamiento del circuito?
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