MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 268-8288
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 998 unidade(s) para enviar a partir do dia 20 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,77 € | 9,54 € |
| 10 - 18 | 4,31 € | 8,62 € |
| 20 - 98 | 4,225 € | 8,45 € |
| 100 - 498 | 3,53 € | 7,06 € |
| 500 + | 2,995 € | 5,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8288
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Serie | SIHA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Serie SIHA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR626EP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHH080N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJA54ADP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR1309DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 65.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7149ADP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines