MOSFET, N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 268-8288
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
8,68 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 998 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,34 € | 8,68 € |
| 10 - 18 | 3,92 € | 7,84 € |
| 20 - 98 | 3,84 € | 7,68 € |
| 100 - 498 | 3,21 € | 6,42 € |
| 500 + | 2,725 € | 5,45 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8288
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Serie | SIHA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Serie SIHA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHA de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 9 A - SIHA150N60E-GE3
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para entornos de control industrial y electrónico en los que se requiere un manejo de alta tensión y un montaje compacto.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 9 A admite cargas de potencia moderadas • La RDS(on) de 0,158 Ω minimiza las pérdidas por conducción para mayor eficiencia • La carga de puerta típica de 36 nC permite una temporización de accionamiento predecible • La disipación de potencia de 179 W gestiona una carga térmica sustancial • La temperatura máxima de funcionamiento de 150 °C permite un uso a temperaturas elevadas
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión • Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales • Se utiliza para interruptores del lado primario de la fuente de alimentación de modo conmutado • Puede utilizarse para conmutación de carga inductiva en sistemas de automatización
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta debo planificar?
La puerta debe accionarse dentro de ±30 V con una carga de puerta típica de 36 nC
Asegúrese de que su controlador pueda suministrar la carga y la velocidad de conmutación necesarias.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica para un funcionamiento continuo?
Con una capacidad de disipación de 179 W y una temperatura de unión máxima de 150 °C, utilice vias térmicas de PCB adecuadas, área de cobre o disipador térmico para mantener la temperatura de unión dentro de límites.
¿Es este dispositivo adecuado para la certificación de automoción?
No está especificado como conforme con el estándar de automoción, por lo que no debe suponerse adecuado para aplicaciones de automoción certificadas sin validación adicional.
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado y el montaje afectan al diseño?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK SO‐8DC con ocho contactos
geometría de almohadilla planar y almohadillas térmicas para una baja resistencia térmica y juntas de soldadura fiables.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR626EP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiHH068N60E, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR220EP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 415 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR578EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 78 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR5802EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 153 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR5102EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 126 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines