MOSFET, N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 268-8287
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
108,95 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Última(s) 950 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,179 € | 108,95 € |
| 100 - 450 | 1,782 € | 89,10 € |
| 500 + | 1,514 € | 75,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8287
- Referência do fabricante:
- SIHA150N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHA | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.158Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHA | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.158Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHA de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 9 A - SIHA150N60E-GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta debo planificar?
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica para un funcionamiento continuo?
¿Es este dispositivo adecuado para la certificación de automoción?
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado y el montaje afectan al diseño?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHA150N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR500EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR626EP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiHH068N60E, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR220EP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 415 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR578EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 78 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR5802EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 153 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR5102EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 126 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
