MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 252-0248
- Referência do fabricante:
- SIDR500EP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 252-0248
- Referência do fabricante:
- SIDR500EP-T1-RE3
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- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 421A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00068mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 421A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00068mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
RDS muy bajo x valor de mérito Qg (FOM)
Mayor densidad de potencia con RDS(on) muy bajo
Encapsulado compacto mejorado térmicamente
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