MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiDR220EP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 415 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- Código RS:
- 239-8615
- Referência do fabricante:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 239-8615
- Referência do fabricante:
- SiDR220EP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 415A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | POWERPAK SO-8DC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00082Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 120W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 415A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado POWERPAK SO-8DC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00082Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 120W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 25 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para convertidor reductor síncrono de alta densidad de potencia y conmutación de carga.
La función de refrigeración del lado superior proporciona una ubicación adicional para transferencia térmica
Baja pérdida de potencia
Probado conforme a UIS
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