MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6643TRPBF, VDSS 150 V, ID 35 A, DirectFET de 7 pines
- Código RS:
- 260-5939
- Referência do fabricante:
- IRF6643TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5939
- Referência do fabricante:
- IRF6643TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Además, la carga de puerta, la recuperación inversa del diodo del cuerpo y la resistencia de puerta interna están optimizadas para mejorar los factores de rendimiento clave del amplificador de audio de clase D, como eficiencia, THD y EMI.
Tecnología de silicio MOSFET más reciente
Compatible con refrigeración de doble cara
Compatible con las tecnologías de montaje en superficie existentes
Sin plomo
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