MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6775MTRPBF, VDSS 150 V, ID 28 A, DirectFET de 2 pines
- Código RS:
- 218-3102
- Referência do fabricante:
- IRF6775MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3102
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- IRF6775MTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 56mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Anchura | 3.95mm | |
| Altura | 0.68mm | |
| Longitud | 4.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 56mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Anchura 3.95mm | ||
Altura 0.68mm | ||
Longitud 4.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon 150V de potencia HEXFET de canal N sencillo. Este MOSFET de audio digital está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. La inductancia inferior mejora el rendimiento de EMI al reducir la oscilación de tensión que acompaña a transitorios de corriente rápidos.
Última tecnología MOSFET Silicon
Compatible con refrigeración de doble cara
Compatible con las tecnologías de montaje en superficie existentes
Sin plomo
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