MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB014N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, N, TO-263
- Código RS:
- 259-1541
- Referência do fabricante:
- IPB014N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-1541
- Referência do fabricante:
- IPB014N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6).
Modo de mejora de canal N
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
Rds(on) ultrabajo
100 % probado contra avalanchas
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