MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N06S4H1ATMA2, ID 180 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 260-5120
- Referência do fabricante:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-5120
- Referência do fabricante:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de potencia optiMOS de canal N de Infineon proporcionan una excelente carga de puerta. Tiene la capacidad de corriente más alta. Este transistor MOSFET de canal N funciona en modo de mejora.
Modo de mejora de canal N
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
100 % probado en avalancha
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