MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 214-4363
- Referência do fabricante:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 214-4363
- Referência do fabricante:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Combina un bajo RDS(on) con un amplio área de funcionamiento segura (SOA)
El FET lineal OptiMOSTM es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado encendido (R DS(on)) y la capacidad de modo lineal: funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.
Resumen de las características
•Combinación de DS(on) de baja R y amplio área de funcionamiento segura (SOA)
•Corriente de impulso máx. alta
•Corriente de pulso continua de alta intensidad
Ventajas
•Funcionamiento de modo lineal robusto
•Bajas pérdidas de conducción
•Corriente de arranque más alta habilitada para un arranque más rápido y un tiempo de inactividad más corto
Aplicaciones potenciales
•Telecom
•Gestión de baterías
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