Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines

Código RS:: 214-4363
Referência do fabricante:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:: 214-4363
Referência do fabricante:: IPB017N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.7mΩ
	Modo de canal	N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	195nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	313W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	4.57mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	9.45 mm
	Longitud	10.31mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-263
	Serie OptiMOS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ
	Modo de canal N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 313W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 4.57mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 9.45 mm
	Longitud 10.31mm
	Estándar de automoción No

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Combina un bajo RDS(on) con un amplio área de funcionamiento segura (SOA)

El FET lineal OptiMOSTM es un enfoque revolucionario para evitar el compromiso entre la resistencia de estado encendido (R DS(on)) y la capacidad de modo lineal: funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de última generación de un MOSFET de trinchera junto con el amplio área de funcionamiento segura de un MOSFET planar clásico.

Resumen de las características

•Combinación de DS(on) de baja R y amplio área de funcionamiento segura (SOA)

•Corriente de impulso máx. alta

•Corriente de pulso continua de alta intensidad

Ventajas

•Funcionamiento de modo lineal robusto

•Bajas pérdidas de conducción

•Corriente de arranque más alta habilitada para un arranque más rápido y un tiempo de inactividad más corto

Aplicaciones potenciales

•Telecom

•Gestión de baterías