MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 214-4363
- Referência do fabricante:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1000 unidades, em rolo de 1000)*
2 655,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,655 € | 2 655,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4363
- Referência do fabricante:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 313W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 313W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.45mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 180 A - IPB017N10N5LFATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta corriente diseñado para aplicaciones de potencia exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TO-263 de montaje en superficie para su integración en conjuntos compactos. El dispositivo está diseñado para su uso donde se requiere una conducción eficiente y una conmutación robusta en sistemas de clase de 100 V.
Características y ventajas:
• Rds(on) de 1,7 mΩ que permite bajas pérdidas de conducción y mayor eficiencia
• Corriente de drenaje continua de 180 A que admite corrientes de carga pesada
• Valor nominal de drenaje-fuente de 100 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia de 313 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 195 nC que facilita la dinámica de accionamiento de puerta controlada
• Tolerancia de puerta de 20 V que permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles
• Corriente de drenaje continua de 180 A que admite corrientes de carga pesada
• Valor nominal de drenaje-fuente de 100 V para aplicaciones de conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia de 313 W que permite un manejo sostenido de la carga térmica
• Carga de puerta típica de 195 nC que facilita la dinámica de accionamiento de puerta controlada
• Tolerancia de puerta de 20 V que permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación industriales
• Ideal para etapas de rectificación síncrona de alta corriente
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren elementos de conmutación robustos
• Puede utilizarse para la distribución de energía en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de alimentación de servidor y fuentes de centro de datos
• Ideal para etapas de rectificación síncrona de alta corriente
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren elementos de conmutación robustos
• Puede utilizarse para la distribución de energía en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de alimentación de servidor y fuentes de centro de datos
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?
Funciona desde -55 °C hasta 150 °C, cubriendo entornos industriales ampliados e integrados.
¿Qué encapsulado deben tener en cuenta los diseñadores al colocar PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 que requiere patrones de tierra térmica para una disipación térmica eficaz.
¿Cuántos contactos proporciona el dispositivo para la conexión?
El componente tiene siete contactos para alojar conexiones de alimentación y puerta junto con anclajes de encapsulado.
¿Qué tipo de canal utiliza y cómo afecta el diseño del circuito?
Se trata de un dispositivo de canal N, que es típico para configuraciones de rectificador síncrono y conmutación de lado bajo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB017N10N5LFATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB014N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLS4030TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, TO-263 de 3 pines