MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262
- Código RS:
- 258-3987
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3987
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon de International Rectifier proporciona técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de sílice. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto diseñado por los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
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