MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ44NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262
- Código RS:
- 258-3988
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-546
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
3,31 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 376 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,655 € | 3,31 € |
| 20 - 48 | 1,48 € | 2,96 € |
| 50 - 98 | 1,38 € | 2,76 € |
| 100 - 198 | 1,295 € | 2,59 € |
| 200 + | 1,195 € | 2,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3988
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-546
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon de International Rectifier proporciona técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de sílice. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto diseñado por los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, TO-262
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3205ZLPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRF4905LPBF, VDSS 55 V, ID 74 A, Mejora, TO-262 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 49 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 270 A, TO-262