MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 919-4769
Referência do fabricante:: IRFZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 919-4769
Referência do fabricante:: IRFZ44NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	49A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	17.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	63nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	94W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Anchura	4.4 mm
	Altura	8.77mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 49A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 94W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Anchura 4.4 mm
	Altura 8.77mm
	Estándar de automoción No

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MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 49 A, disipación de potencia máxima de 94 W - IRFZ44NPBF

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Puede gestionar altos niveles de corriente con baja resistencia, mejorando la eficiencia de los circuitos electrónicos. Con tecnología HEXFET, el dispositivo ofrece mayor fiabilidad y eficacia en diversos entornos.

Características y ventajas

• Utiliza el modo de mejora para un control sensible

• Baja resistencia de 17,5mΩ para una gestión eficaz de la energía

• Velocidades de conmutación rápidas para mejorar el rendimiento del sistema

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores CC-CC

• Accionamientos y sistemas de control de motores

• Sistemas de energía renovable, como inversores solares

¿Qué impacto tiene la baja resistencia en el rendimiento?

La baja resistencia a la conexión de 17,5mΩ mejora la eficiencia al minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento, lo que resulta ventajoso en circuitos de alta corriente.

¿Cómo afecta la temperatura a la corriente continua de drenaje?

La corriente de drenaje continua es de 49 A a 25 °C y disminuye a 35 A a 100 °C, lo que garantiza un uso seguro en distintos entornos.

¿Puede este componente soportar condiciones de avalancha repetitivas?

Sí, está diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas con una clasificación de corriente de avalancha de hasta 25 A y una energía de avalancha de 9,4 mJ, lo que proporciona una durabilidad adicional.

¿Qué tipo de aplicaciones se benefician más del uso de este MOSFET?

Este componente es especialmente útil en aplicaciones de alta potencia, como controles de automatización industrial y sistemas de automoción que requieren una conversión eficiente de la energía.

¿Es compatible con los diseños de PCB estándar?

Sí, su encapsulado TO-220AB se utiliza ampliamente en diversos diseños de placas de circuito impreso, lo que permite una integración sencilla en los diseños existentes.