MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 49 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4769
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4769
- Referência do fabricante:
- IRFZ44NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.77mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.77mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 49 A, disipación de potencia máxima de 94 W - IRFZ44NPBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Puede gestionar altos niveles de corriente con baja resistencia, mejorando la eficiencia de los circuitos electrónicos. Con tecnología HEXFET, el dispositivo ofrece mayor fiabilidad y eficacia en diversos entornos.
Características y ventajas
• Utiliza el modo de mejora para un control sensible
• Baja resistencia de 17,5mΩ para una gestión eficaz de la energía
• Velocidades de conmutación rápidas para mejorar el rendimiento del sistema
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores CC-CC
• Accionamientos y sistemas de control de motores
• Sistemas de energía renovable, como inversores solares
¿Qué impacto tiene la baja resistencia en el rendimiento?
La baja resistencia a la conexión de 17,5mΩ mejora la eficiencia al minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento, lo que resulta ventajoso en circuitos de alta corriente.
¿Cómo afecta la temperatura a la corriente continua de drenaje?
La corriente de drenaje continua es de 49 A a 25 °C y disminuye a 35 A a 100 °C, lo que garantiza un uso seguro en distintos entornos.
¿Puede este componente soportar condiciones de avalancha repetitivas?
Sí, está diseñado para soportar condiciones de avalancha repetitivas con una clasificación de corriente de avalancha de hasta 25 A y una energía de avalancha de 9,4 mJ, lo que proporciona una durabilidad adicional.
¿Qué tipo de aplicaciones se benefician más del uso de este MOSFET?
Este componente es especialmente útil en aplicaciones de alta potencia, como controles de automatización industrial y sistemas de automoción que requieren una conversión eficiente de la energía.
¿Es compatible con los diseños de PCB estándar?
Sí, su encapsulado TO-220AB se utiliza ampliamente en diversos diseños de placas de circuito impreso, lo que permite una integración sencilla en los diseños existentes.
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