MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3846
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
437,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 12 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,175 € | 437,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3846
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La CoolMOS CE de 500 V de Infineon es una plataforma optimizada de rendimiento y precio que permite apuntar a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al tiempo que cumple los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de bajo coste disponible en el mercado.
Alta resistencia del diodo del cuerpo
Carga de recuperación inversa reducida
Control sencillo del comportamiento de conmutación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.8 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R500CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R1K4CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.8 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR825TRPBF, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines