MOSFET, N-Canal Infineon IRFR825TRPBF, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3116
- Referência do fabricante:
- IRFR825TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3116
- Referência do fabricante:
- IRFR825TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 119W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 119W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.
La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.
El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.
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