MOSFET, N-Canal Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3847
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
4,19 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2290 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,838 € | 4,19 € |
| 50 - 120 | 0,746 € | 3,73 € |
| 125 - 245 | 0,706 € | 3,53 € |
| 250 - 495 | 0,652 € | 3,26 € |
| 500 + | 0,42 € | 2,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3847
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La CoolMOS CE de 500 V de Infineon es una plataforma optimizada de rendimiento y precio que permite apuntar a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al tiempo que cumple los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de bajo coste disponible en el mercado.
Alta resistencia del diodo del cuerpo
Carga de recuperación inversa reducida
Control sencillo del comportamiento de conmutación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.8 A, N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 30 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 98 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 52 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 118 A, N, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 50 A, N, TO-252