MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3847
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3847
- Referência do fabricante:
- IPD50R950CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 950mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 950mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La CoolMOS CE de 500 V de Infineon es una plataforma optimizada de rendimiento y precio que permite apuntar a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al tiempo que cumple los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de bajo coste disponible en el mercado.
Alta resistencia del diodo del cuerpo
Carga de recuperación inversa reducida
Control sencillo del comportamiento de conmutación
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