MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 4.8 A, N, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3046
- Referência do fabricante:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 7500 + | 0,18 € | 450,00 € |
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- Código RS:
- 218-3046
- Referência do fabricante:
- IPD50R1K4CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 830mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 830mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Esta serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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