MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1 235,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 7500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +0,494 €1 235,00 €

*preço indicativo

Código RS:
258-3839
Referência do fabricante:
IPD35N12S3L24ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

PG-TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 de automoción

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Links relacionados