MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD80P03P4L07ATMA2, VDSS -30 V, ID -80 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3864
Referência do fabricante:
IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

IPD

Encapsulado

PG-TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Tensión directa Vf

-1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-0.31 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

DIN IEC 68-1, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-P2 de Infineon presenta las pérdidas de potencia de conmutación y conducción más bajas para la máxima eficiencia térmica. Encapsulados robustos con calidad y fiabilidad superiores.

No se necesita bomba de carga para accionamiento de lado alto

Circuito de controlador de interfaz sencilla

Capacidad de corriente más alta

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