MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
258-0911
Referência do fabricante:
IAUC100N08S5N031ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

IAUC

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

900mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

59nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, DIN IEC 68-1

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-5 de Infineon es un modo de mejora de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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