MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUC100N08S5N031ATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0912
- Referência do fabricante:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
5,23 €
Adicione 36 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 4822 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,615 € | 5,23 € |
| 20 - 48 | 2,35 € | 4,70 € |
| 50 - 98 | 2,195 € | 4,39 € |
| 100 - 198 | 2,04 € | 4,08 € |
| 200 + | 1,915 € | 3,83 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-0912
- Referência do fabricante:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 59nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 59nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-5 de Infineon es un modo de mejora de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC070N10NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 23 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 74 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 131 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC123N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines