MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 170-2298
- Referência do fabricante:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 170-2298
- Referência do fabricante:
- BSC070N10NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC070N10NS5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.49mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 6.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC070N10NS5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.49mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 6.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon BSC070N10NS5 es el MOSFET de potencia OptiMOS 5 de 100V V CON PEAJE. Este MOSFET está optimizado para rectificación síncrona e ideal para alta frecuencia de conmutación. Este MOSFET tiene la máxima eficiencia del sistema y reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Optimizado para SMPS de alto rendimiento
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N.
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