MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Código RS:: 170-2307
Referência do fabricante:: BSC040N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:: 170-2307
Referência do fabricante:: BSC040N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	TDSON
	Serie	BSC040N08NS5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	5.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Disipación de potencia máxima Pd	104W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	43nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.88V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.1mm
	Longitud	5.49mm
	Anchura	6.35mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado TDSON
	Serie BSC040N08NS5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Disipación de potencia máxima Pd 104W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.88V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.1mm
	Longitud 5.49mm
	Anchura 6.35mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET de la serie BSC040N08NS5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - BSC040N08NS5ATMA1

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de silicio diseñado para conmutación de alta corriente en aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas industriales y es adecuado para sistemas que requieren una conducción robusta y una conmutación rápida. El dispositivo ofrece una alta capacidad de corriente continua y está configurado para usar donde se requiere un manejo de potencia compacto y de baja pérdida.

Características y ventajas:

• Tensión de drenaje de 80 V que permite capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 100 A que admite cargas de corriente pesada
• Rds(on) bajo de 5.7 mΩ que reduce las pérdidas de conducción
• Disipación de potencia de 104 W para una carga térmica elevada
• Carga de puerta típica de 43 nC que permite transiciones de conmutación eficientes
• Valor nominal máximo de puerta Vgs 20 V, lo que permite amplios márgenes de accionamiento de puerta

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc en sistemas de gestión de potencia
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en controladores industriales
• Se utiliza para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas de alta corriente en bastidores de telecomunicaciones
• Apto para implementaciones de etapa de potencia en módulos de inversor

¿Qué tipo de encapsulado utiliza y por qué es relevante?

Se suministra en un encapsulado TDSON compacto de montaje en superficie que facilita diseños de inductancia baja y una transferencia de calor eficiente a nivel de placa.

¿Cuáles son los límites ambientales de funcionamiento de este dispositivo?

Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en una amplia gama de condiciones de temperatura industrial.

¿Cuántas conexiones proporciona el encapsulado para el enrutamiento de PCB?

El dispositivo se presenta con ocho contactos para admitir conexiones de alimentación y puerta/térmicas para una integración de PCB robusta.

¿Cuál es el tipo y modo de conducción del canal para el diseño del circuito?

Utiliza una configuración de modo de mejora de canal N, adecuada para topologías de conmutación síncrona y de lado bajo.