MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFHM830TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, PQFN

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

7,06 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 900,706 €7,06 €
100 - 2400,671 €6,71 €
250 - 4900,644 €6,44 €
500 - 9900,614 €6,14 €
1000 +0,572 €5,72 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
257-9389
Referência do fabricante:
IRFHM830TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRFHM de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 30 V en un encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Alternativa potencial al encapsulado Super SO 8 de alto RDS (encendido)

Links relacionados