MOSFET, N-Canal Infineon IRF7862TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
257-9324
Referência do fabricante:
IRF7862TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 21 A - IRF7862TRPBF


Este MOSFET de modo de mejora de canal N en un encapsulado SO-8 es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos compactos. Funciona en una amplia gama de entornos y cumple la directiva RoHS, por lo que es apto para aplicaciones que requieren dispositivos de potencia SMD compactos y sin plomo.

Características y ventajas:


• La Rds(on) de 4.5 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción bajo carga
• 30 V Vds permite la capacidad de conmutación de potencia de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 21 A admite circuitos de alta corriente
• La carga de puerta típica de 30 nC permite un control moderado de la velocidad de conmutación
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona la carga térmica en espacios reducidos

Aplicaciones


• Adecuado para módulos de distribución de potencia de DC
• Ideal para etapas de controlador de motor de nivel de placa
• Se utiliza con reguladores de tensión para conmutación de carga
• Puede utilizarse para circuitos de protección de baterías
• Apto para la gestión de potencia en convertidores compactos

¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?


El dispositivo no debe superar ±20 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión dieléctrica de la puerta.

¿Cómo afecta el encapsulado a la manipulación térmica?


El encapsulado de montaje en superficie SO-8 limita la disipación térmica, por lo que se recomiendan placas de cobre y vias térmicas para ayudar a disipar la potencia admisible de 2,5 W.

¿Qué intervalo de temperaturas ambientales puede soportar?


Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, por lo que es apto para aplicaciones de gran temperatura.

¿Es este dispositivo adecuado para la certificación de automoción?


No se especifica que cumpla los estándares de automoción y no se debe asumir que sea de grado automovilístico.

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