MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9323
- Referência do fabricante:
- IRF7862TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
2 056,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 12 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,514 € | 2 056,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9323
- Referência do fabricante:
- IRF7862TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 21 A - IRF7862TRPBF
Este MOSFET de modo de mejora de canal N en un encapsulado SO-8 es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos compactos. Funciona en una amplia gama de entornos y cumple la directiva RoHS, por lo que es apto para aplicaciones que requieren dispositivos de potencia SMD compactos y sin plomo.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 4.5 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción bajo carga
• 30 V Vds permite la capacidad de conmutación de potencia de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 21 A admite circuitos de alta corriente
• La carga de puerta típica de 30 nC permite un control moderado de la velocidad de conmutación
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona la carga térmica en espacios reducidos
• 30 V Vds permite la capacidad de conmutación de potencia de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 21 A admite circuitos de alta corriente
• La carga de puerta típica de 30 nC permite un control moderado de la velocidad de conmutación
• La disipación de potencia de 2,5 W gestiona la carga térmica en espacios reducidos
Aplicaciones
• Adecuado para módulos de distribución de potencia de DC
• Ideal para etapas de controlador de motor de nivel de placa
• Se utiliza con reguladores de tensión para conmutación de carga
• Puede utilizarse para circuitos de protección de baterías
• Apto para la gestión de potencia en convertidores compactos
• Ideal para etapas de controlador de motor de nivel de placa
• Se utiliza con reguladores de tensión para conmutación de carga
• Puede utilizarse para circuitos de protección de baterías
• Apto para la gestión de potencia en convertidores compactos
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?
El dispositivo no debe superar ±20 V entre la puerta y la fuente para evitar la tensión dieléctrica de la puerta.
¿Cómo afecta el encapsulado a la manipulación térmica?
El encapsulado de montaje en superficie SO-8 limita la disipación térmica, por lo que se recomiendan placas de cobre y vias térmicas para ayudar a disipar la potencia admisible de 2,5 W.
¿Qué intervalo de temperaturas ambientales puede soportar?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, por lo que es apto para aplicaciones de gran temperatura.
¿Es este dispositivo adecuado para la certificación de automoción?
No se especifica que cumpla los estándares de automoción y no se debe asumir que sea de grado automovilístico.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7862TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET Infineon, N-Canal IRF8734TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Conjuntos MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Conjuntos MOSFET Infineon, N-Canal IRF7831TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 57 A, Mejora, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, SO-8 de 8 pines