MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS -12 V, ID -7.4 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9307
- Referência do fabricante:
- IRF7329TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9307
- Referência do fabricante:
- IRF7329TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -7.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -12V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 199mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -7.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -12V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -12 V en un encapsulado SO 8.
Conformidad con RoHS
RDS bajo (encendido)
MOSFET de canal P doble
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