MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5544
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
1 304,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2000 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,652 € | 1 304,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5544
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 10.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 10.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para que el diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable de usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Múltiples opciones de encapsulado
Sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRLPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRLPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 56 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR2405TRPBF, VDSS 55 V, ID 56 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 30 A, N, TO-252