MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252

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Código RS:
257-5544
Referência do fabricante:
IRFR3710ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Altura

10.41mm

Anchura

2.39mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para que el diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable de usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de conexión ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Múltiples opciones de encapsulado

Sin plomo

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