MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5855
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-539
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-5855
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-539
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 10.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 10.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para que el diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable de usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Múltiples opciones de encapsulado
Sin plomo
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