MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3710ZTRLPBF, VDSS 100 V, ID 56 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4457
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 1,319 € | 19,79 € |
| 30 - 60 | 1,253 € | 18,80 € |
| 75 - 135 | 1,20 € | 18,00 € |
| 150 - 360 | 1,147 € | 17,21 € |
| 375 + | 1,068 € | 16,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4457
- Referência do fabricante:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.
Su diseño es extremadamente eficiente y fiable
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