MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -21 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
257-5533
Referência do fabricante:
IRFH9310TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5mm

Altura

0.39mm

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplio catálogo disponible

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