MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ15DC02KDHXTMA1, VDSS 40 V, ID 212 A, P, PQFN de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4660 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,26 €6,30 €
50 - 1201,046 €5,23 €
125 - 2450,984 €4,92 €
250 - 4950,92 €4,60 €
500 +0,844 €4,22 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
250-0564
Referência do fabricante:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

212A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PQFN

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Infineon fabrica este canal P + N complementario, modo de mejora. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Este dispositivo es un transistor de señal pequeña OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 con nivel superlógico (valor nominal 2,5 V). Tiene drenaje común y clasificación de avalancha. La temperatura de funcionamiento es de 175 °C. 100 % sin plomo y sin halógenos.

Nivel superlógico (valor nominal de 2,5 V)

100 % sin plomo

Links relacionados