MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIZ260DT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 8.9 A, PowerPAIR de 3 x 3S

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,96 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 2975 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,392 €6,96 €
50 - 951,346 €6,73 €
100 - 2451,14 €5,70 €
250 - 9951,116 €5,58 €
1000 +0,818 €4,09 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
256-7437
Referência do fabricante:
SIZ260DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3S

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0149Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El canal N doble de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor proporciona sus Qgs optimizados, la relación Qgs mejora las características de conmutación y las aplicaciones POL, convertidor reductor síncrono, telecomunicaciones dc, dc, convertidores resonantes, control de accionamiento de motor.

MOSFET de potencia TrenchFET gen IV

Probado al 100 % Rg y UIS

Etapa de potencia de medio puente MOSFET integrada

Links relacionados