MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZ270DT-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 19.1 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:
204-7264
Referência do fabricante:
SIZ270DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

19.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3S

Serie

SiZ270DT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0377Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.3nC

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Longitud

3.3mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal N doble de 100 V (D-S) de Vishay son una etapa de potencia de medio puente MOSFET integrada y tienen una relación QGS/QGS optimizada que mejora las características de conmutación.

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