MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 8.9 A, PowerPAIR de 3 x 3S
- Código RS:
- 256-7436
- Referência do fabricante:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 497,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 19 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,499 € | 1 497,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 256-7436
- Referência do fabricante:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0149Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SIZ260DT | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0149Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIZ260DT de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 80 V, corriente de drenaje continua de 8,9 A - SIZ260DT-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos industriales. Funciona a temperaturas elevadas y admite corrientes continuas moderadas, lo que lo convierte en adecuado para conjuntos compactos donde se requiere resistencia térmica y manejo de tensión.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 80 V permite su uso en circuitos de media tensión
• La corriente continua de 8,9 A permite la conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,0247 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 6,3 nC admite conmutación rápida
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo de potencia superior
• La tolerancia de puerta de ±20 V se adapta a diversos rangos de accionamiento de puerta
• La corriente continua de 8,9 A permite la conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,0247 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 6,3 nC admite conmutación rápida
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo de potencia superior
• La tolerancia de puerta de ±20 V se adapta a diversos rangos de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en equipos de automatización
• Ideal para etapas de motor-controlador en accionamientos industriales
• Se utiliza para conmutación de potencia en módulos de control
• Se puede utilizar para conmutación de carga en la gestión de baterías
• Apto para conjuntos de alimentación SMD compactos en sistemas eléctricos
• Ideal para etapas de motor-controlador en accionamientos industriales
• Se utiliza para conmutación de potencia en módulos de control
• Se puede utilizar para conmutación de carga en la gestión de baterías
• Apto para conjuntos de alimentación SMD compactos en sistemas eléctricos
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta +150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplias fluctuaciones térmicas.
¿Cómo afecta la forma de encapsulado al diseño de la placa de circuito impreso?
El encapsulado SMD PowerPAIR 3x3S con ocho contactos concentra contactos de potencia y señal para rutas térmicas cortas y diseño de almohadilla térmica sencillo.
¿Es adecuado este dispositivo para aplicaciones de automoción?
No se especifica que cumpla los estándares de automoción, por lo que no debe seleccionarse cuando se requiera una aprobación formal de grado de automoción.
¿Cuáles son las ventajas del número de contactos del dispositivo para el diseño de circuitos?
La disposición de ocho contactos separa las conexiones de puerta y fuente de las vías de alimentación, lo que simplifica el enrutamiento de accionamiento de puerta y la gestión térmica.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIZ260DT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 8.9 A, PowerPAIR de 3 x 3S
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 70 V, ID 31.8 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 48 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 70 V, ID 32.5 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 19.1 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ340BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ254DT-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 32.5 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.