MOSFET, N-Canal Vishay SI5936DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 256-7377
Referência do fabricante:: SI5936DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, N-Canal Vishay SI5936DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 256-7377
Referência do fabricante:: SI5936DU-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	ChipFET PowerPAK
	Serie	SI5936DU
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.04Ω
	Disipación de potencia máxima Pd	10.4W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	850μm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado ChipFET PowerPAK
	Serie SI5936DU
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.04Ω
	Disipación de potencia máxima Pd 10.4W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 850μm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SI5936DU-T1-GE3

MOSFET serie SI5936DU de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 6 A - SI5936DU-T1-GE3

Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de montaje en superficie diseñado para tareas de gestión de potencia en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango ambiente y está diseñado para aplicaciones que requieren una conmutación eficiente de baja tensión y un manejo térmico en espacios reducidos.

Características y ventajas:

• La clasificación de 30 V permite una robusta capacidad de conmutación de baja tensión
• La corriente continua de 6 A admite un suministro de potencia moderado
• La Rds(on) de 0,04 Ω minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 3.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación máxima de 10,4 W soporta una carga térmica significativa
• La tolerancia de puerta de 20 V permite opciones flexibles de tensión de accionamiento

Aplicaciones

• Adecuado para el uso de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Ideal para la gestión de la batería y el control de la ruta de alimentación
• Se utiliza con etapas motor-driver para motores de baja tensión
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Adecuado para módulos de potencia compactos con limitaciones de altura

¿Qué formato de encapsulado debo planificar en el diseño de la placa de circuito impreso?

El dispositivo llega en un estilo de montaje en superficie PowerPAK ChipFET, por lo que los diseños de almohadilla deben coincidir con un tamaño SMT de perfil bajo y permitir vias térmicas o vertidos de cobre para la propagación del calor.

¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento continuo?

El componente está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, pero se requiere gestión térmica para mantener la disipación de potencia dentro de los valores nominales a temperaturas elevadas.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta hay para el rendimiento de conmutación?

Espera demanda de carga de puerta moderada

la capacidad del controlador debe suministrar rápidamente la carga típica de 3,5 nC para reducir las pérdidas de conmutación al tiempo que controla dv/dt.

¿Es adecuado para aplicaciones de automoción?

No está diseñado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe utilizarse donde la certificación de automoción es obligatoria.