MOSFET, N-Canal Vishay SI5442DU-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 25 A, ChipFET PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
256-7365
Referência do fabricante:
SI5442DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SI5442DU

Encapsulado

ChipFET PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0135Ω

Disipación de potencia máxima Pd

31W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

850μm

Estándar de automoción

No

MOSFET serie SI5442DU de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 25 A - SI5442DU-T1-GE3


Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N diseñado para funciones de gestión de potencia de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie. Funciona como un dispositivo de potencia de baja tensión adecuado para convertidores dc-dc y topologías de conmutación síncrona, funcionando en un amplio rango ambiental para entornos térmicos exigentes.

Características y ventajas:


• Resistencia de conexión muy baja de 0,0135 Ω, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Capacidad de drenaje continuo de 25 A compatible con carriles de alta corriente
• Resistencia de la fuente de drenaje a 20 V que permite etapas de potencia de baja tensión
• La tolerancia de puerta de hasta 8 V permite esquemas de accionamiento flexibles
• Carga de puerta total típica de 16,6 nC para un control de conmutación eficiente
• Disipación de potencia de 31 W que permite una carga térmica sostenida

Aplicaciones


• Adecuado para salidas de convertidor reductor síncrono
• Ideal para módulos de distribución de potencia de grado automovilístico
• Se utiliza para conmutar cargas de alta corriente en equipos industriales
• Se puede utilizar para etapas de alimentación de telecomunicaciones
• Apto para la regulación del punto de carga en placas compactas

¿Qué rango térmico puede tolerar el dispositivo en el despliegue?


Está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, adaptándose tanto a condiciones de arranque en frío como a altas temperaturas.

¿Cómo afecta la tensión directa a la eficiencia en sistemas de baja tensión?


La tensión directa típica de 1,2 V a través del diodo intrínseco reduce las pérdidas de tiempo muerto y contribuye a la eficiencia general del convertidor durante el funcionamiento síncrono.

¿Qué encapsulado y estilo de montaje se proporcionan para el montaje de placas?


El componente se suministra en un formato ChipFET PowerPAK de 8 contactos diseñado para montaje en superficie para permitir un diseño compacto y vías térmicas eficaces.

¿El producto cumple las directivas de restricción de materiales?


El componente cumple los requisitos RoHS, lo que limita determinadas sustancias peligrosas en la composición del dispositivo.

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