MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUA200N04S5N010AUMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, PG-HSOF-5 de 8 pines

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Código RS:
254-7198
Referência do fabricante:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IAUA

Encapsulado

PG-HSOF-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie IAUA de MOSFET de automoción de Infineon consta de canal n con modo de mejora a nivel normal con una temperatura de funcionamiento de 175 °C. Se trata de un producto ecológico con pruebas eléctricas mejoradas.

Diseño robusto La tensión nominal de drenaje a fuente es de 40 V. La disipación de potencia es de 167 W

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