MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, PG-HSOF-5 de 8 pines

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Código RS:
254-7197
Referência do fabricante:
IAUA200N04S5N010AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PG-HSOF-5

Serie

IAUA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

La serie IAUA de MOSFET de automoción de Infineon consta de canal n con modo de mejora a nivel normal con una temperatura de funcionamiento de 175 °C. Se trata de un producto ecológico con pruebas eléctricas mejoradas.

Diseño robusto La tensión nominal de drenaje a fuente es de 40 V. La disipación de potencia es de 167 W

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