MOSFET Infineon IMBF170R450M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 9,8 A, TO-263-7 de 7 pines

MOSFET de carburo de silicio de Infineon para la reducción de la complejidad del sistema. Se acciona directamente desde el controlador de retorno en cero. Mejora de la eficiencia y reducción del esfuerzo de refrigeración. Permite una frecuencia más alta.

Material de semiconductor revolucionario - Carburo de silicio
Optimizado para topologías de retorno en cero
Tensión de compuerta-manantial de 12/0 V compatible con la mayoría de controladores de retorno en cero
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tensión de umbral de compuerta de referencia, VGS(th) = 4,5 V
dV/dt completamente controlable para optimización de EMI