MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBF170R450M1XTMA1, VDSS 100 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 249-6950
- Referência do fabricante:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 249-6950
- Referência do fabricante:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IMBF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IMBF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio de Infineon para la reducción de la complejidad del sistema. Se acciona directamente desde el controlador de retorno en cero. Mejora de la eficiencia y reducción del esfuerzo de refrigeración. Permite una frecuencia más alta.
Material de semiconductor revolucionario - Carburo de silicio
Optimizado para topologías de retorno en cero
Tensión de compuerta-manantial de 12/0 V compatible con la mayoría de controladores de retorno en cero
Pérdidas de conmutación muy bajas
Tensión de umbral de compuerta de referencia, VGS(th) = 4,5 V
dV/dt completamente controlable para optimización de EMI
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