MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 249-6949
- Referência do fabricante:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2 844,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,844 € | 2 844,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6949
- Referência do fabricante:
- IMBF170R450M1XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | IMBF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie IMBF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie IMBF de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 64 A - IMBF170R450M1XTMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y proporciona bajas pérdidas de conducción y un manejo de potencia apreciable en sistemas que requieren un control de accionamiento de puerta robusto.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 1,7 mΩ reduce las pérdidas por conducción y el calor
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 64 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La disipación de potencia de 81 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una conmutación eficiente con un accionamiento moderado
• El límite de fuente de puerta de 20 V proporciona margen para diseños de accionamiento de puerta robustos
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 64 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La disipación de potencia de 81 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una conmutación eficiente con un accionamiento moderado
• El límite de fuente de puerta de 20 V proporciona margen para diseños de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación industriales
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de electrónica de potencia
• Se utiliza para la conmutación de carga en la gestión de baterías de alta corriente
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Adecuado para módulos de alimentación de montaje en superficie en placas compactas
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de electrónica de potencia
• Se utiliza para la conmutación de carga en la gestión de baterías de alta corriente
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Adecuado para módulos de alimentación de montaje en superficie en placas compactas
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación rápida?
Utilice un controlador capaz de generar y absorber la carga de puerta de 80 nC para lograr el dV/dt deseado al tiempo que gestiona las pérdidas de conmutación.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en los diseños?
Implementar un área de cobre de PCB adecuada y vias térmicas bajo el tamaño TO-263 para disipar la pérdida de unión de 81 W durante el funcionamiento continuo.
¿Qué límites protegen el dispositivo contra una tensión de puerta excesiva?
Mantenga la amplitud de accionamiento de puerta dentro de la fuente de puerta de 20 V máxima para evitar la tensión de óxido de puerta y posibles fallos del dispositivo.
¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento a la selección de la aplicación?
El rango de −55 °C a 175 °C permite el despliegue en entornos con temperaturas ambiente extremas frías o elevadas donde otros componentes pueden no ser adecuados.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IMBF170R450M1XTMA1, VDSS 100 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFZ48NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 64 A, TO-263
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R083M1HXTMA1, VDSS 75 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R072M1HXTMA1, VDSS 75 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R107M1HXTMA1, VDSS 75 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R163M1HXTMA1, VDSS 75 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines
