Módulo de potencia SiC ROHM, N-Canal BSM180D12P3C007, VDSS 1200 V, ID 180 A, Mejora de 4 pines, 2
- Código RS:
- 144-2259
- Referência do fabricante:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 144-2259
- Referência do fabricante:
- BSM180D12P3C007
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | BSM | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 880W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 122mm | |
| Altura | 17mm | |
| Anchura | 45.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie BSM | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 880W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 122mm | ||
Altura 17mm | ||
Anchura 45.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Módulos de potencia SiC, ROHM
El módulo consta de un FET de alimentación DMOS de carburo de silicio (SiC) con un diodo de barrera Schottky (SBD) a través del drenador y la fuente.
Configuración de medio puente
Corriente baja de transitorios
Pérdidas de potencia por conmutación bajas
Conmutación de alta velocidad
Baja temperatura de funcionamiento
Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor
Note
El módulo de alimentación SiC BSM180D12P2C101 no incluye diodos de barrera Schottky.
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